سرمایه گذاری سامسونگ روی حافظه های DRAM سه بعدی
در حالی که صنعت حافظه به سرعت در حال توسعه و پیشرفت است، اخبار جدید از شرکت سامسونگ نشان می دهد که آنها به تحولات جدید و جذابی در زمینه درام سه بعدی پرداخته اند. این تصمیم به اشتراک گذاری جزئیات در مورد نقشه راه خود برای تولید درام سه بعدی توسط سامسونگ، نشان از تصمیم و تعهد این شرکت به نوآوری و پیشروی در عرصه فناوری حافظه دارد.
از زمان های قدیم، ترانزیستورهای سه بعدی برای استفاده در حافظه dram مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. با این حال، تا کنون تولیدکنندگان اصلی حافظه از انتشار اطلاعات دقیق در این زمینه خودداری کرده اند. اما با اعلام سامسونگ از برنامه های خود در memcom، این شرکت نشان داده که آماده به اشتراک گذاری جزئیات بیشتر در مورد آینده درام سه بعدی خود با دنیا است.
با توجه به اطلاعات ارائه شده توسط سامسونگ، به نظر می رسد که درام سه بعدی این شرکت برای سال 2025 و بعد از آن برنامه ریزی شده است. از طریق استفاده از فناوری فرآیند DRAM مبتنی بر FinFET، سامسونگ قصد دارد تا به تولید DRAM های زیر 10 نانومتری نسل اول بپردازد. این اقدام نشان از تعهد سامسونگ به پیشبرد فناوری و ارائه حافظه های با کیفیت و عملکرد بالا به مشتریان است.
با انتظار ظهور درام هایی با ترانزیستورهای کانال عمودی و طراحی سلول 4F^2 توسط توکیو الکترونی در سال های آتی، صنعت حافظه به سمت تکنولوژی های مبتنی بر سه بعدی و نانومتری پیش می رود. این تحولات نشان از رقابت فراوان و تلاش شرکت ها برای ارائه بهترین و پیشرفته ترین محصولات حافظه به بازار جهانی است.
با توجه به این پیشرفت های چشمگیر در حوزه حافظه، امکانات و قابلیت های دستگاه های الکترونیکی و کامپیوتری به طور چشمگیری افزایش خواهد یافت. این تحولات می توانند به بهبود عملکرد و کارایی دستگاه های مختلف، از جمله تلفن های هوشمند، لپ تاپ ها و سرورها کمک شایانی نمایند.
